Semiconductor Fiche technique

JD335010 FICHE TECHNIQUE,CIRCUIT,LA FONCTION

JD335010 Datasheet PDF

ConstructeurEmballageDescriptionPDFTempérature
TRANSISTOR | MOS-BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CEO | 100A I(C) Min°C | Max°C

  • JD335010
    TRANSISTOR | MOS-BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CEO | 100A I(C)

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